中芯國際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。


Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié)，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。

“閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個重要的驅(qū)動力，”中芯國際首席營運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進的技術(shù)和中芯國際的高容量存儲卡產(chǎn)品結(jié)合在一起，根據(jù)我們的核心優(yōu)勢積極關(guān)注產(chǎn)品的主要分銷渠道。”

Saifun半導(dǎo)體公司總裁Kobi Rozengarten先生表示，“自從我們今年六月簽定第一份技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議以來，雙方緊密合作，致力于為數(shù)字產(chǎn)品市場研發(fā)領(lǐng)先于市場的，基于NROM雙字節(jié)和四字節(jié)技術(shù)的閃存存儲器產(chǎn)品。隨著市場對高容量卡產(chǎn)品的需求不斷擴大，中芯國際先進的生產(chǎn)經(jīng)驗和Saifun創(chuàng)造性的NROM技術(shù)的結(jié)合，必將給雙方公司帶來更多的成長機會。”