根據(jù)內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價格不愿放貨，導致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價格反彈。


上周適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M×8)400MHz/333MHz/266MHz價格維持在2.0美元到2.45美元之間，沒有太大變化。而UTT(ETT)部分，買家仍希望以較低的價格購買，但市場上2.0美元以下供應的數(shù)量不多，因此價格由12月20日的1.98美元反彈至2.02美元。同時，DDR2部分由于已傳出供給緊張，交易量逐漸放大，價格由3.72美元反彈至3.73美元。

DRAMeXchange指出，年末最后一周DRAM市場受到現(xiàn)貨價格上漲的鼓舞及持續(xù)強勁的客戶需求，12月下旬合同價格談判中，DRAM廠試圖小幅調漲合同價格，但大部份的DDR及DDR2臺式及筆記本電腦模塊的合同價格仍以持平成交，而服務器模塊已有一些廠商成功上調成交價格。

至于這周NAND閃存市場的部分，高容量NAND閃存的現(xiàn)貨價格持續(xù)下跌且有減緩跌勢的狀況，跌價部份僅包括16Gb；低容量部分的價格卻朝另一個方向移動呈現(xiàn)上揚，本周2Gb的價格就上揚了3%。

這周下旬，現(xiàn)貨市場絕大部分來自美國，而歐洲和香港地區(qū)的廠商開始長假，所以減少了現(xiàn)貨市場中來源的供應。然而NAND閃存現(xiàn)貨市場由于年末時有限供應的情況，MP3播放器制造商在現(xiàn)貨市場里尋找1Gb與2Gb NAND閃存。最后幾筆為了購買上述兩部分所下的訂單，促使現(xiàn)貨價格最高上揚3%。

緊接著2006年第一周即將來到，春節(jié)時期的需求將慢慢顯現(xiàn)出來。DRAMeXchange預測這股對NAND閃存需求將持續(xù)到2006年1月。然而NAND閃存現(xiàn)貨價的走勢，將會根據(jù)NAND閃存制造廠商的生產(chǎn)狀況而定。另外，目前大多數(shù)的DRAM廠均樂觀地表示，將于2006年1月下旬調高合同價格，預計第一季度上半部分，DRAM合同價格仍有所支撐。